NIT présente son premier capteur SWIR InGaAs avec un pas de 7.5 µm
New Imaging Technologies (NIT) annonce son premier composant SWIR InGaAs commercialisable avec un pas de 7,5 µm, qui est le résultat de plusieurs années de recherche et de développement interne d’un procédé innovant d'hybridation.
Ce procédé, qui n'utilise pas la technique classique des indium bumps, permet de fabriquer des capteurs hybrides à très petits pas avec un rendement élevé pour un coût réduit.
Le premier composant disponible au pas de 7.5 µm est un réseau linéaire avec les caractéristiques suivantes :
• Nombre de pixels : 2048
• Pas : 7.5 µm
• Fréquence ligne : 60 KHz en pleine résolution
• Capacité du Puit de potentiel : 25 Ke-
• Bruit de lecture : <70e-
• Courant d'obscurité : 8 fA à 15 ° C